załączniku

Skaningowy Mikroanalizator Elektronów Augera
MICROLAB 350 firmy Thermo Electron (VG Scientific)
w Specjalistycznym Laboratorium Fizykochemii Materiałów
Mikroanalizator augerowski Microlab 350 firmy Thermo Electron (VG Scientific) jest jednym z
najnowocześniejszych urządzeń do badania składu chemicznego powierzchni materiałów stałych o
gwarantowanych parametrach analizy, umoŜliwiającym badanie obiektów o szerokości
kilkudziesięciu nanometrów i grubości - charakterystycznej dla spektrometrii elektronów Augera rzędu kilku monowarstw atomowych (~ 1 nm). Przyrząd umoŜliwia m.in. badanie nanomateriałów,
w tym zobrazowanie rozkładu powierzchniowego i liniowego pierwiastków oraz profilowania ich
stęŜeń w głąb materiału z rozdzielczością 0,5-1 nm i czułością analityczną rzędu ułamka % at.
MoŜliwości analityczne Microlab 350
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Otrzymywanie obrazów SE (Secondary Electrons) powierzchni próbki (rozdzielczość < 7
nm).
Wykonywanie lokalnych analiz jakościowych (rozdzielczość pozioma < 12 nm, rozdzielczość
w głąb 0,5 - 1 nm; zakres analizowanych pierwiastków od litu (Z = 3) wzwyŜ; wykrywalność
ok. 0,3 % at.).
Wykonywanie obrazów powierzchniowego rozmieszczenia pierwiastków (rozdzielczość < 20
nm).
Wykonywanie analiz liniowych rozmieszczenia pierwiastków.
Określanie względnej zawartości pierwiastków w nanoobszarach (dokładność analizy > 10 %
wzgl.).
Określanie stanu chemicznego atomu w nanoobszarach (rozdzielczość energetyczna 0,06%).
Badanie bardzo cienkich warstw powierzchniowych (ARAES, Angle Resolved Auger
Electron Spectroscopy).
Wyznaczanie profili zmian składu chemicznego w głąb materiału (połączone z funkcją
trawienia jonowego (Ar+)).
Badania powierzchni ciał stałych za pomocą rentgenowskiej spektroskopii fotoelektronów
(XPS) umoŜliwiają:
- identyfikację stanu chemicznego składników badanego materiału,
-
rozszerzenie gamy moŜliwych do analizy materiałów o dielektryki (polimery,
materiały tlenkowe- szkła, ceramika);
http://ichf.edu.pl/res/res_en/labs/Lab_6_xps/Lab_xps1.pdf
- dokładna analiza ilościowa próbek (średni skład mikro-obszarów), w oparciu o
program Mutline lub bazy danych współczynników czułości Scofielda i Wagnera
- precyzyjną analizę profilu głębokościowego próbek (zmiany stanu chemicznego
składników próbki w kolejnych warstwach – po trawieniu).
•
•
•
•
•
Badanie segregacji pierwiastków na granicach ziaren (wyposaŜenie do łamania próbek w
próŜni w temperaturze ciekłego azotu).
RozróŜnianie struktur krystalograficznych np. grafitu, diamentu, węgla amorficznego Reflected Electron Energy Loss Spectroscopy (REELS).
RozróŜnianie stanów chemicznych atomu - (AES+NLLSF (Non Linear Least Square Fitting),
REELS).
RozróŜnianie materiałów organicznych - (REELS).
Wyznaczanie średniej nieelastycznej drogi swobodnej elektronów metodą elektronowej
spektroskopii piku elastycznego - EPES (Elastic Peak Electron Spectroscopy).
Komputerowy program zbierania i przetwarzania danych Avantage Data System umoŜliwia:
•
•
•
•
sterowanie ruchem próbki (Avantage 3.44),
sterowanie pracą spektrometru (Avantage 3.44),
programowanie eksperymentu (Avantage 3.44),
przedstawienie wyników w szeregu opcji graficznych oraz eksport danych i grafiki do
popularnych programów edycyjnych (Avantage 4.16).
Przykłady moŜliwości analitycznych aparatu:
1. Uzyskiwanie obrazów (SE) powierzchni próbek przy duŜych powiększeniach
Microlab 350 wyposaŜony jest w detektor elektronów wtórnych (SE) umoŜliwiający uzyskiwanie
obrazów powierzchni próbki o rozdzielczości ok. 7 nm - spełnia więc rolę elektronowego mikroskopu
skaningowego (SEM) z emisją polową (FEG – Field Emission Electron Gun). Przykłady takich
obrazów przedstawiono na rys. 1.
a)
b)
Rys. 1. Zdjęcia obrazujące morfologię powierzchni stopu amorficznego Cu60-Zr40 po wodorowaniu
wysokociśnieniowym (p = 10 MPa, T = 423 K, t = 14 dni).
(M.Janik-Czachor, A.Molnar, M.Pisarek, ECS Transactions, 1 (4) 479-489 (2006))
2. Rejestrowanie lokalnych widm elektronów Augera
Microlab 350 umoŜliwia rejestrację widm elektronów Auger emitowanych z nanoobszarów
powierzchni próbki, o szerokości ok. 20 nm i głębokości ~1nm zarówno w szerokim jak i wąskim
zakresie energii kinetycznej (widma wysokorozdzielcze). Zdolność rozdzielcza analizatora energii
moŜe być zmieniona w zakresie 0.6 – 0.06%, co umoŜliwia określenie stanu chemicznego
analizowanych pierwiastków na podstawie połoŜenia maksimum analizowanej linii.
Na rys. 2 przedstawiono widma elektronów Augera pochodzących z wydzieleń miedzi na podłoŜu
tlenku hafnu.
b)
a)
55000
45000
c)
P1
50000
P2
d)
Hf MNN
40000
40000
Intensity, N(E), cps
Intensity, N(E), cps
45000
Cu
Cu LMM
35000
30000
O KLL
25000
35000
30000
O KLL
25000
Hf
20000
20000
15000
15000
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
Kinetic Energy / eV
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
Kinetic Energy / eV
Rys. 2. Wysokorozdzielczy obraz SEM powierzchni katalizatora Cu65-Hf35 po aktywacji
powierzchni metodą elektrochemiczną w 0.1M H2SO4 (i = - 1 mA/cm2, t = 100h) (a).
Wysokorozdzielcze widmo Augera Cu zarejestrowane w punkcie P1 z rozdzielczością 0.06%. W celu
identyfikacji stanu chemicznego zamieszczono dodatkowo widmo referencyjne Cu (LMM). (b).
Widma lokalne Augera w szerokim zakresie energii kinetycznej, identyfikujące skład chemiczny w
punktach P1 i P2 (c, d).
Więcej informacji moŜna znaleźć w publikacjach:
- M.Pisarek, M.Janik-Czachor, A.Molnar, K.Hughes, Catalytic activity of Cu-based amorphous alloy
ribbons modified by cathodic hydrogen charging, Applied Catalysis A, 283 (2005) p.177-184
- M.Pisarek, M.Janik-Czachor, Microstructural and Auger Microanalytical Characterization of Cu-Hf
and Cu-Ti Catalysts, Microscopy and Microanalysis, 12 (2006) 228-237
- M.Janik-Czachor, M.Pisarek, A.Molnar, Activation of Cu-based amorphous alloys ribbons for
catalytic applications, ECS Transaction, 1(4) (2006) 479
3. Badanie rozmieszczenia pierwiastków na powierzchni próbek
Microlab 350 umoŜliwia otrzymywanie obrazów rozmieszczenia pierwiastków na powierzchni próbki
z rozdzielczością 512×512 pikseli (tzw. mapy składu chemicznego). Na rys. 3 przedstawiono obraz SE
wybranego mikroobszaru powierzchni próbki amorficznego stopu Cu65-Hf35 po wodorowaniu
elektrochemicznym w roztworze 0.1M H2SO4 przy stałej gęstości prądu i = - 1 mA/cm2 oraz
rozmieszczenie Cu, Hf i O. Miejsca o jasnym kontraście odpowiadają wzbogaceniu w analizowany
pierwiastek Cu, Hf bądź O.
Rys. 3. Morfologia powierzchni amorficznego stopu Cu65-Hf35 po wodorowaniu katodowym oraz
obrazy rozmieszczenia miedzi, hafnu i tlenu na tej powierzchni.
Wyniki zaprezentowane na konferencji: 8th International Symposium on Electrochemical/Chemical
Reactivity of Metastable Materials, Szeged, 29-31 sierpnia, Węgry, M.Pisarek, M.Janik-Czachor:
High resolution Auger microanalytical characterization of Cu-Hf and Cu-Ti catalysts.
4. Wyznaczanie liniowych rozkładów rozmieszczenia pierwiastków
Microlab 350 umozliwia otrzymywanie wykresów rozmieszczenia pierwiastków wzdłuŜ wybranych
linii analizy. Na rys. 4 przedstawiono obraz rozmieszczenia Cu oraz stosunku sygnału Ni do W w
poprzek granicy pomiędzy miedzianym podłoŜem a warstwą Ni-W.
90
interphase
region
Cu substrate
Cu
Ni/W
Cu Atomic Percent / %
80
3
70
60
Ni-W alloy
50
2
40
30
1
20
Ni / W Concentration Ratio
4
100
10
0
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,6
2,8
Distance / µm
Rys.4. Obraz przedstawiający przekrój poprzeczny próbki Cu/Ni-W oraz rozkład liniowy Cu (LMM) i
stosunek Ni (LMM) / W (MNN) w warstwie Ni-W na granicy faz podłoŜe/warstwa. Rozdzielczość
pozioma analizy w kaŜdym punkcie ~ 20 nm. Odległość między punktami analizy 200 nm.
Więcej informacji moŜna znaleźć w publikacjach:
M.Pisarek, M.Janik-Czachor, M.Donten, Local characterization of electrodeposited Ni-W amorphous
alloy by Auger microanalysis, Surface Coatings and Technology 202 (2008) 1980-1984
M.Pisarek, M.Janik-Czachor, Microstructural and Auger Microanalytical Characterization of Cu-Hf
and Cu-Ti Catalysts, Microscopy and Microanalysis, 12 (2006) 228-237
5. Wyznaczanie profili rozmieszczenia pierwiastków w głąb materiału połączone z
funkcją trawienia jonowego
Microlab 350 wyposaŜony jest w działo jonowe (Ar+) EX05 umoŜliwiające trawienie próbki z
regulowaną szybkością. Szybkość trawienia (sputtering rate nm/s) moŜna regulować poprzez zmianę
powierzchni trawienia (raster size) bądź czasu trawienia (s). Zamieszczone na rys. 5a, b przykładowe
profile zmian stęŜeń analizowanych pierwiastków otrzymane metodą kolejnych sekwencji trawienia
jonowego i analizowania składu chemicznego wskazują, Ŝe w wyniku właściwego doboru szybkości
trawienia moŜna uzyskać profile bardzo cienkich warstw nie przekraczających kilku nm np. warstwy
pasywne na metalach i ich stopach, rys.5. Ponadto zastosowanie odpowiedniego kąta nachylenia
próbki i szybkości jej obrotu podczas trawienia moŜe zminimalizować efekty mieszania się atomów
(„ion mixing”) podczas trawienia próbki, uzyskując prawie nie zakłócone tymi efektami profile stęŜeń
poszczególnych pierwiastków w głąb materiału (rys.5).
0,6
0,5
steel 303
steel 316
O(KLL)
40
35
30
0,4
stainless steel
matrix
25
0,3
20
15
0,2
10
0,1
5
(a)
0
O concentration / atomic %
Cr/Fe concentration ratio
surface oxide film
0,0
0
5
10
15
20 25
30
35 40
45
50 55
60
Etch Time / s
0,6
steel 303 HE
steel 316 HE
0,5
stainless steel
matrix
0,4
0,3
303
0,2
316
Cr/Fe concentration ratio
surface oxide film
0,1
(b)
0,0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Etch Time / s
Rys. 5. Porównanie stosunku stęŜeń Cr/Fe w funkcji czasu trawienia dla stali austenitycznych 303 i
316 przed (a) oraz po wyciskaniu hydrostatycznym (b). Wykresy przedstawiają jak zmienia się
stosunek Cr/Fe w głąb warstw pasywnych wytworzonych samoistnie na tego typu materiałach.
Dodatkowo zamieszczono profil stęŜenia tlenu (rys. 5a). Linie pionowe wskazują połoŜenie granicy
pomiędzy warstwą tlenkową a podłoŜem – stal 303 bądź 316. Linie poziome pokazują nominalny
stosunek Cr/Fe w badanych stalach.
Więcej informacji moŜna znaleźć w publikacjach:
M.Pisarek, Characterization of metallic oxide thin-layer materials by Auger Electron Spectroscopy
(AES) combined with Ar+ ion etching, Annales de Chimie Science des Materiaux, 32 (4) (2007) 383394
M.Pisarek, P.Kędzierzawski, M.Janik-Czachor, K.J.Kurzydłowski, The Effect of Hydrostatic Extrusion
on the Corrosion Resistance of 316 Stainless Steel, Corrosion NACE Vol.64, No.2 (2008) 131-137
M.Pisarek, P.Kędzierzawski, M.Janik-Czachor, K.J.Kurzydłowski, The effect of hydrostatic extrusion
on resistance of 316 austenitic stainless steel to pit nucleation, Electrochemistry Communications, 9
(2007) 2463-2466
M.Pisarek, P.Kędzierzawski, T.Płociński, M.Janik-Czachor, K.J.Kurzydłowski, Characterization of the
Effects of Hydrostatic Extrusion on Grain Size, Surface Composition and the Corrosion Resistance of
Austenitic Stainless Steels, Materials Characterization, 59 (9) (2008) 1292-1300
M.Pisarek, P.Kędzierzawski, M.Janik-Czachor, K.J.Kurzydłowski, Effect of Hydrostatic Extrusion on
Passivity Breakdown on 303 Austenitic Stainless Steel in Chloride Solution, Journal of Solid State
Electrochemistry (Special Issue, EMRS 2007), 13 (2009) 283-291
H.Garbacz, M.Pisarek, K.J.Kurzydłowski, Corrosion resistance of nanostructured titanium,
Biomolecular Engineering,24 (2007) 559-563
Na rys. 6. przedstawiono wyniki wykorzystania metody nieliniowego dopasowania funkcji (NLLSF)
do sygnałów pochodzących od poszczególnych pierwiastków w widmach elektronów Augera, w celu
identyfikacji stanu chemicznego atomów Ti oraz Al w powierzchniowej warstwie tlenkowej
otrzymanej na drodze polaryzacji anodowej na stopie Ti6Al4V. Zastosowanie tej metody do analizy
widm Augera pozwoliło na rozróŜnienie związków Ti i Al oraz przedstawienie rozmieszczenia tych
związków w funkcji odległości od powierzchni próbki - rys. 6.
Ti-6Al-4V
Vmax = 65V
90
Atomic percent / %
80
oxide layer
70
60
50
40
30
20
intermediate layer
100
substrate
S LMM
O KLL
Ti oxide
Ti LMM
Al oxide
Al KLL
V LMM
10
0
0
500
1000 1500 2000 2500
Sputtering time / s
3000
Rys. 6. Wykorzystanie metody (NLLSF) do identyfikacji stanu chemicznego atomów Ti i Al w
powierzchniowej warstwie anodowej na podłoŜu TiAlV. Rozmieszczenie związków Ti i Al w funkcji
odległości od powierzchni próbki: warstwa tlenkowa TiO2+Al2O3, obszar przejściowy, podłoŜe
Ti6Al4V.
Rys. 7
Profil składu chemicznego warstwy tlenkowej wytworzonej na powierzchni stopu amorficznego
Al70Ta30 w wyniku polaryzacji anodowej (Vmax=25V) w roztworze buforu boranowego.
Zestaw wysokorozdzielczych widm AES przedstawiający zmiany połoŜenia i kształtu widma Al
podczas trawienia warstwy anodowej w głąb - od tlenku (warstwa anodowa) do metalu (podłoŜe).
Więcej informacji moŜna znaleźć w publikacjach:
Z.Werner, A.Jaskiewicz, M.Pisarek, M.Janik-Czachor, M.Barlak, AES and RBS characterization of
anodic oxide films on Al-Ta amorphous alloys, Zeitschrift fur Physikalische Chemie, 219 (2005) 14611479
M.Janik-Czachor, A.Jaskiewicz, M.Dolata, Z.Werner, Passivity and its breakdown in Al-based
amorphous alloys, Materials Chemistry and Physics, 92 (2005) 348-353
M.Lewandowska,
M.Pisarek,
K.RoŜniatowski,
M.Grądzka-Dahlke,
M.Janik-Czachor,
K.J.Kurzydłowski, Nanoscale characterization of anodic oxide films on Ti-6Al-4V alloy, Thin Solid
Film, 515 (2007) 6460-6464
A.Jaśkiewicz, rozprawa doktorska: Trwałość stanu pasywnego i budowa tlenkowych warstw
anodowych tworzących się na stopów amorficznych aluminium tantal i aluminium niob, Politechnika
Warszawska, Warszawa, 2007
6. Wysokorozdzielcza charakterystyka implantów tytanowych poddanych modyfikacji
powierzchni metodami chemicznymi
Rys.8. Siateczki firmy Tiomesh wykonane z blachy tytanowej o średnicy 6 mm i grubości 0,2 mm
stosowane w chirurgii twarzoczaszki.
a)
b)
Ti
Ti
Intensity / cps
Intensity / cps
Ti
O
100
200
300
400
Kinetic Energy / eV
500
600
Ti
O
Ca
100
200
300
400
Kinetic Energy / eV
500
600
c)
d)
Intensity / cps
Intensity / cps
Ti
O
100
200
300
400
Ti
Ti
Ti
500
O
600
100
200
300
400
500
600
Kinetic Energy / eV
Kinetic Energy / eV
Intensity / arb. units
Rys.9. Zdjęcia SEM typowych morfologii powierzchni siateczek tytanowych poddanych róŜnym
procesom modyfikacji metodami chemicznymi: a) stan wyjściowy, b) trawienie w 5M roztworze
NaOH i następnie wygrzewanie w temperaturze 600°C, c) trawienie w roztworze stęŜonego H2SO4 i
30% H2O2 w stosunku objętościowym 1:1 (tzw. roztwór "pirania") w temperaturze pokojowej, d)
trawienie w roztworze "pirania" w temperaturze wrzenia roztworu. Dodatkowo zamieszczono typowe
widma lokalne AES (zmierzone w zakresie energii kinetycznej 30 – 600 eV) z powierzchni siateczek
tytanowych poddanych wcześniej róŜnym procesom modyfikacji jw.
Ti LMM
as-received
"piranha", RT
"piranha", BS
NaOH pretreatment
TiOx LMM
360
380
400
420
440
Kinetic Energy / eV
Rys. 10. Typowe widma wysokorozdzielcze AES zmierzone w wąskim zakresie energii kinetycznej
(350 – 440 eV) na powierzchni siateczek tytanowych poddanych róŜnym procesom modyfikacji jw.
Zmierzone wysokorozdzielcze widma AES sugerują iŜ na powierzchni siateczek tytanowych
poddanych róŜnym procesom modyfikacji znajduje się tlenek tytanu. Widma zmierzone odniesiono do
widm referencyjnych Tiox LMM oraz Ti LMM – Avantage Database 3.44.
Więcej informacji moŜna znaleźć w publikacjach:
M.Pisarek, M.Lewandowska, A.Roguska, K.J.Kurzydłowski, M.Janik-Czachor, SEM, Scanning Auger
and XPS characterization of chemically preteated Ti surfaces intendent for biomedical applications,
Materials Chemistry and Physics, 104 (2007) 93-97
M.Lewandowska, A.Roguska, M.Pisarek, B.Polak, M.Janik-Czachor, K.J.Kurzydłowski, Morphology
and chemical characterization of Ti surfaces modified for biomedical applications, Biomolecular
Engineering, 24 (2007) 438-442
M.Lewandowska, M.Włodkowska, R.Olkowski, A.Roguska, B.Polak, M.Pisarek, M.LewandowskaSzumieł, K.J.Kurzydłowski, Chemical Surface Modifications of Titanium Implants, Macromolecular
Symposia 253 (2007) 115-121
7. Przykłady zastosowania techniki XPS
a) Wykonywanie profili zmian rozmieszczenia pierwiastków w głąb materiału połączone z
funkcją trawienia jonowego, identyfikacja stanu chemicznego
Analiza profilu głębokościowego warstwy SiO2 implantowanej Ge na podłoŜu Si wykonana przy
uŜyciu skanującego działa jonowego usuwającego kolejne warstwy przedstawiona jest na rys. 11. Na
profilu moŜna wyodrębnić 3 strefy: 1 – wzbogacenie w Ge warstwy SiO2, 2 – warstwę SiO2, 3 –
podłoŜe Si. Oś x została wyskalowana w funkcji głębokości trawienia w nm.
Rys.11 Profil głębokościowy składu chemicznego próbki SiO2/Si implantowanej Ge.
Więcej informacji moŜna znaleźć w publikacji:
M.Rosiński, J.Badziak, A.Czarnecka, P.Gasior, P.Parys, M.Pisarek, R.Turan, J.Wołowski, S.Yerci,
Implantation and sputtering of Ge ions into SiO2 substrates with the use of Ge ions produced by
repetitive laser pulses, Materials Science in Semiconductor Processing, 9 (2006) 655-658
Podczas wykonywania profili składu chemicznego metodą XPS moŜliwe jest równieŜ rejestrowanie
widm wysokorozdzielczych na podstawie których moŜna określić jak zmienia się stan chemiczny
analizowanego pierwiastka. PoniŜszy przykład pokazuje zmianę kształtu sygnału Al2p w funkcji czasu
trawienia warstwy tlenkowej wytworzonej na powierzchni stopu Ti6Al4V metodą elektrochemiczną
(przejście od warstwy tlenkowej Al2pox do podłoŜa metalicznego Al2pm).
Rys.12. Zmiana pozycji maksimum sygnału Al2p (z postaci odpowiadającej formie utlenionej do
formy metalicznej) w funkcji czasu trawienia powierzchni próbki Ti6Al4V po polaryzacji anodowej.
Więcej informacji moŜna znaleźć w publikacji:
M.Lewandowska,
M.Pisarek,
K.RoŜniatowski,
M.Grądzka-Dahlke,
M.Janik-Czachor,
K.J.Kurzydłowski, Nanoscale characterization of anodic oxide films on Ti-6Al-4V alloy, Thin Solid
Film, 515 (2007) 6460-6464
b) identyfikacja stanu chemicznego
Urządzenie Microlab 350 wykorzystywane jest opcjonalnie jako spektrometr fotoelektronów (XPS).
Wykorzystując wysokorozdzielczy sferyczny analizator energii kinetycznej (max. rozdzielczość
energii dla metody XPS wynosi 0.83 eV) moŜliwe jest uzyskiwanie widm XPS analizowanych
pierwiastków w celu identyfikacji ich stanu chemicznego. Do analizy XPS jako źródło wzbudzenia
wykorzystuje się nie mono-chromatyczne promieniowanie rentgenowskie o energii hν = 1486 eV
(AlKα) bądź hν = 1256 eV (MgKα). Funkcja liniowa lub Shirley’a odcięcia tła uŜywana jest do
wyznaczania intensywności poszczególnych sygnałów XPS. Zarejestrowane widma w wąskim
zakresie energii wiązań „rozplatane” (deconvolution procedure) są przy uŜyciu asymetrycznej funkcji
Gaussa/Lorentza. Zmierzone energie wiązań dla poszczególnych pierwiastków zazwyczaj korygowane
są w stosunku do energii wiązania fotoelektronu węgla C1s = 285 eV.
Więcej informacji na temat zastosowania metody XPS moŜna znaleźć na stronie internetowej:
http://ichf.edu.pl/res/res_en/labs/Lab_6_xps/Lab_xps1.pdf
dr. inŜ. Janusz W. Sobczak
Laboratorium Specjalistyczne Spektroskopii Elektronowych AES-XPS
Instytut Chemii Fizycznej PAN
ul. Kasprzaka 44/52, 01-224 Warszawa
tel. (22) 343-3229, 343-3260
e-mail: [email protected]
Zlecenia badań
Mikroanalizator augerowski Microlab 350 zlokalizowany jest w Centrum Fizykochemii Materiałów
utworzonym przez Instytut Chemii Fizycznej Polskiej Akademii Nauk oraz Wydział InŜynierii
Materiałowej Politechniki Warszawskiej i uŜytkowany wspólnie przez w/w jednostki.
Pełnomocnikiem obu jednostek ds. Centrum jest prof. dr hab. Maria Janik-Czachor
W sprawie badań prosimy o kontaktowanie się z:
Prof. dr hab. Maria Janik-Czachor
Centrum Fizykochemii Materiałów IChF PAN i WIM PW
Specjalistyczne Laboratorium Fizykochemii Materiałów
ul. Kasprzaka 44/52 01-224 Warszawa
Tel. (22) 343-3325
Fax. (22) 632 5276
e-mail: [email protected]
dr. inŜ. Marcin Pisarek
Centrum Fizykochemii Materiałów IChF PAN i WIM PW
Specjalistyczne Laboratorium Fizykochemii Materiałów
ul. Kasprzaka 44/52 01-224 Warszawa
Tel. (22) 343-3325, 343-3229
e-mail: [email protected]