LIDIA ŁUKASIAK

INSTYTUT MIKROELEKTRONIKI I OPTOELEKTRONIKI
łukasiak
LIDIA ŁUKASIAK
Lidia Łukasiak urodziła się 16 grudnia 1964
roku w Warszawie. W 1983 roku ukończyła
XIV Liceum Ogólnokształcące im. Klementa
Gottwalda (obecnie im. Stanisława Staszica)
w Warszawie i w tym samym roku rozpoczęła studia na Wydziale Elektroniki Politechniki
Warszawskiej. Od ukończenia studiów (1988)
do chwili obecnej jest pracownikiem naukowo-dydaktycznym Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych. W 1993 roku byłą stypendystką Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej.
Stopień doktora nauk technicznych uzyskała
w 1994 roku, a jej rozprawa doktorska poświęcona modelowaniu charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora MOS została wyróżniona Nagrodą Premiera Rady Ministrów
(1995). Stopień naukowy doktora habilitowanego uzyskała w 2002 roku (rozprawa dotyczyła modeli i elektrycznych metod charakteryzacji przyrządów MOS i MOS SOI). W 2005 roku
została powołana na stanowisko profesora nadzwyczajnego na Politechnice Warszawskiej.
Od 2004 roku pełni funkcję zastępcy dyrektora Instytutu Mikroelektroniki i Optoelektroniki ds. dydaktycznych. Odbyła staże naukowe
w Irlandii (National Microelectronics Research
Centre — 8 miesięcy), Korei Południowej
(Kyung-Hee University — 2 miesiące) oraz USA
(Penn State University — 3 × 2 miesiące).
Zainteresowania badawcze Lidii Łukasiak
obejmują m.in.: modelowania przyrządów
MOS (metal – tlenek – półprzewodnik) — modele statycznych charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora MOS o podwyższonej
dokładności (uwzględnienie wybranych efektów fizycznych), model tranzystora i kondensatora MOS z kanałem krzemogermanowym,
model tranzystora MOS SOI, model charakterystyk statycznych oraz napięcia progowego
dwubramkowego tranzystora MOS; charakteryzacji przyrządów MOS, w szczególności badań jakości powierzchni granicznej dielektryk–
– półprzewodnik dla nowych generacji dielektryków bramkowych (charakteryzacja podłoży
SOI metodą surface-charge profiling, charakteryzacja struktur MIS metodami impulsowymi,
w tym metodą pompowania ładunku); modelowania heterozłączowych tranzystorów bipolarnych z bazą krzemo-germanową (czas przelotu, efekt Early’ego, wzmocnienie prądowe);
opracowania aparatury pomiarowo-kontrolnej,
głównie dla celów diagnostyki struktur półprzewodnikowych (m.in. generator wymuszeń dla
metody pompowania ładunku, system do impulsowej charakteryzacji przyrządów MOS).
Lidia Łukasiak jest autorką lub współautorką około 170 prac naukowych publikowanych
w czasopismach bądź materiałach konferencyjnych. Publikowała swoje prace m.in. w: „IEEE
Transactions on Electron Devices”, „Solid-State
Electronics”, „Microelectronics Journal”, „Ap-
Słowa kluczowe
n przyrządy półprzewodnikowe
n mikroelektronika
INSTYTUT MIKROELEKTRONIKI I OPTOELEKTRONIKI
Ł
plied Physics Letters”, „Electron Technology”,
„Journal of Telecommunications and Electron
Technology”. Referaty i komunikaty konferencyjne były prezentowane na wielu konferencjach międzynarodowych i krajowych (w tym
około 10 referatów zaproszonych).
Była zapraszana do wygłaszania referatów
w wielu ośrodkach badawczych i uniwersytetach (m.in.: Uniwersytet Techniczny w Pradze,
Czechy, Kyung Hee University, Seul, Korea Pd.,
X-ion, Paryż, Francja, LETI, Lyon, Francja, University of Warwick, Warwick, Wielka Brytania,
École Supérieure d’Electricité, Université de
Metz, Francja). Była także konsultantem firmy
X-ion (USA – Francja).
Jej działalność dydaktyczna obejmuje
wszystkie formy kształcenia w zakresie przyrządów półprzewodnikowych, mikroelektroniki i techniki mikroprocesorowej. Była promotorem trzech rozpraw doktorskich oraz około
30 prac dyplomowych inżynierskich i magisterskich.
Lidia Łukasiak zajmuje się również popularyzacją nauki (publikacje popularno-naukowe,
referaty dla młodzieży szkolnej).
Jest członkiem Sekcji Mikroelektroniki Komitetu Elektroniki i Telekomunikacji Polskiej
Akademii Nauk od 1996 roku, a w latach
1996–2003 była Sekretarzem Naukowym Sekcji. W latach 1992–1995 była członkiem Kolegium Redakcyjnego Electron Technology. Od
2005 roku jest członkiem Technical Programme Committee międzynarodowej konferencji
ESSDERC. Była także przewodniczącą Komitetu Programowego 6 th, 7 th i 8 th Symposium
„Diagnostics & Yield”, „Advanced Silicon Devices and Technologies for ULSI Era” w Warszawie (2003, 2006 i 2009), a także współredaktorem materiałów konferencyjnych wydanych
przez „Journal of Telecommunications and Information Technology”. Była także członkiem
Komitetu Naukowego Konferencji Naukowej
ELTE 2007 i ELTE 2010 oraz współprzewodniczącą Sekcji Mikroelektroniki i Nanoelektroniki Konferencji Naukowej ELTE 2010. Jest recenzentem „IEEE Transactions on Electron Devices
and Electron Device Letters”.